Наконец-то нормальные ИИ-открытия подвезли. Обычная электроника использует в основном заряд электрона: есть ток или нет тока, 0 или 1. Но у электрона есть ещё одно свойство — спин. Очень грубо его можно представить как крошечную стрелку, направленную «вверх» или «вниз». Если научиться надёжно разделять электроны по спину, появляется ещё один способ хранить и обрабатывать информацию. На этом строится спинтроника. Проблема в том, что многие материалы, хорошо отбирающие электроны нужного спина, сами являются магнитами. Они создают вокруг себя магнитное поле, влияют на соседние элементы, мешают уменьшать размеры устройств и усложняют схемы. Поэтому физики давно ищут почти идеальный материал, который умеет различать спины электронов, но не имеет суммарной намагниченности и не создаёт внешнего поля. И вот команда из более чем 90 агентов Claude Opus 5.5 за три дня нашла два кандидата с таким необычным сочетанием свойств. Первый — YBaMnFeO₅, соединение иттрия, бария, марганца, железа и кислорода. Насколько удалось установить авторам, раньше его не синтезировали и не рассматривали как магнитный полупроводник такого типа. Расчёты показывают, что нужные свойства могут сохраняться при комнатной температуре. Но есть серьёзная проблема: для этого атомы марганца и железа должны располагаться почти идеально упорядоченно. При обычном синтезе они, вероятно, будут перемешиваться, и нужный эффект исчезнет. Второй — соединение калия, ванадия, хрома, углерода и азота KV[Cr(CN)₆]. Его синтезировали ещё в 1999 году и установили, что магнитный порядок сохраняется до 376 K — примерно 103 °C. Более того, в расчётах 2008 года нужное разделение электронов по спину фактически уже было видно, но работа была посвящена другой задаче и на это свойство не обратили внимания. Новые расчёты показывают, что материал может одновременно быть полупроводником, хорошо разделять электроны по спину и почти не иметь собственного внешнего магнитного поля. Если эти предсказания подтвердятся экспериментально, наиболее очевидное применение — магнитная память нового поколения. MRAM существует уже сегодня, но в ней приходится работать с крошечными магнитами, которые могут влиять друг на друга. Материал почти без внешнего магнитного поля потенциально позволит делать ячейки памяти меньше, размещать их плотнее и, возможно, переключать быстрее и с меньшими затратами энергии. А если научатся ещё и электрически управлять полупроводниковыми и спиновыми свойствами таких материалов, это может стать одним из путей к архитектуре после классического CMOS, где хранение и обработка информации гораздо теснее связаны. Самый амбициозный вариант — появление нового класса устройств, в которых один и тот же элемент одновременно хранит и обрабатывает информацию. @gostev_future