Micron создала модуль памяти DDR5 RDIMM на 512 ГБ Компания Micron представила первый модуль DDR5 RDIMM объемом 512 ГБ, работающий со скоростью до 9200 МТ/с. Высокой плотности добились за счет вертикальной компоновки кристаллов памяти, соединенных через сквозные кремниевые каналы (TSV). Это позволяет установить до 12 ТБ оперативной памяти в стандартный двухпроцессорный сервер. По заявлениям Micron, новинка на 60% энергоэффективнее связки из четырех модулей RDIMM по 128 ГБ. В компании также утверждают, что в задачах аналитики данных прирост производительности достигает 40% по сравнению с системами на модулях по 256 ГБ.