💥 В России создан опытный образец литографа для производства чипов с нормами 130 нм Завершён третий этап разработки отечественной фотолитографической установки для производства интегральных схем с топологическими нормами 130 нм, созданной «Зеленоградским нанотехнологическим центром» совместно с белорусской компанией «Планар». Оборудование предназначено для переноса изображения топологического рисунка на полупроводниковые пластины диаметром до 200 мм и используется при изготовлении сверхбольших интегральных схем. В рамках этапа изготовлены два опытных образца эксимерного лазера с длиной волны 193 нм, а также фотошаблоны и тестовые структуры. Создан стенд для измерения и контроля фотолитографических и аберрационных характеристик объективов на рабочих длинах волн, отработаны базовые технологические процессы. Разработка ведётся в кооперации с белорусскими партнёрами, что позволяет объединить компетенции и ускорить создание критически важного оборудования. Установка ориентирована на производство чипов для гражданской и специальной электроники, где требуется надёжность и независимость от импортных поставок. Успешное завершение этапа подтверждает возможность создания полностью отечественного литографического оборудования для микроэлектроники. Дальнейшие работы направлены на доводку установки до промышленного образца и запуск серийного производства. Реализация проекта снижает зависимость от зарубежных поставщиков в области фотолитографии и укрепляет технологический суверенитет России в микроэлектронной отрасли. ⚡️ Подпишись на MASHNEWS в МАХ