НИИЭТ выводит на рынок две модели GaN-транзисторов Воронежский НИИЭТ анонсировал старт производства первых отечественных мощных СВЧ-транзисторов на нитриде галлия (GaN) для усилителей радиоэлектронной аппаратуры. Обе модели - ТНГ 131005‑28 и ТНГ 60005‑28П - рассчитаны на напряжение 28 В и выдают более 10 Вт выходной мощности, при этом по совокупности параметров не имеют аналогов на российском рынке. Разработка ориентирована на работу в жестких температурных режимах, что критично для бортовой и промышленной электроники. Модели решают принципиально разные задачи. ТНГ 131005‑28 - это первый российский дискретный транзистор для Ku-диапазона (до 13,5 ГГц) с непрерывной мощностью свыше 10 Вт, усилением ≥13 дБ и КПД до 50% в корпусном исполнении. ТНГ 60005‑28П, напротив, сделан для поверхностного монтажа: миниатюрный корпус DFN3x3-6L (3×3 мм) позволяет групповую сборку плат на автоматических линиях, сохраняя характеристики на частотах 6–8 ГГц. Это закрывает две разные ниши - высокочастотную и массовую компактную электронику. Для рынка это стратегический шаг. Ранее подобные компоненты закупались преимущественно за рубежом, и появление GaN-решений локальной разработки снижает зависимость по критическим позициям для радаров, спутниковой связи и телеком-оборудования. При этом НИИЭТ (входит в «Элемент») предлагает не просто «копию», а две уникальные конструктивные философии под разные сценарии эксплуатации, что усиливает конкурентоспособность внутри страны. В условиях санкционных ограничений и курса на технологический суверенитет такая продукция получает гарантированный спрос со стороны ОПК и гражданской радиоэлектроники, а дальнейшая локализация материалов позволит сдерживать цену. Информацию предоставили наши коллеги из канала Русская электроника Подписывайтесь на канал MT-GROUP, чтобы узнавать больше новостей из быстроразвивающегося мира робототехники! 🟢 Подписаться на канал 🟢 Подписаться в MAX