Китай показал прототип EUV-литографа, но до активного использования еще несколько лет Китайская компания Landau Flint продемонстрировала прототип источника экстремального ультрафиолетового излучения (EUV), который подходит для производства новейших чипов с техпроцессом меньше 7 нм. Обещают уровень локализации выше 90% и технологический подход, сопоставимый с решениями ведущих мировых производителей, такими как ASML. Однако на практике есть нюансы. FlintNano LPP-OXXO имеет лазер на 1 кВт с частотой от 1 до 20 кГц, при этом заявленная мощность EUV – лишь 15 Вт, а время непрерывной работы – 100 часов. Обещают стабильность плазмы на уровне 3% RMS и энергетическую стабильность 5%. Проблема лишь в том, что такой мощности не хватит для производства сложных чипов: современные станки ASML имеют EUV на сотни ватт, так что Landau Flint еще есть над чем работать. Мой Компьютер