Китайская CXMT обещает революцию в DDR5 Компания рассчитывает увеличивать плотность серверной памяти не только уменьшением техпроцесса, но и изменением её конструкции. В основе разработки вертикальный транзистор, канал которого окружён затвором. Он занимает меньше места и помогает сдерживать утечки, из-за которых память теряет заряд. На той же площади поместится на 50% больше ячеек. В теории CXMT сможет получать больше гигабайтов с каждой пластины и усилить конкуренцию на рынке DRAM. Однако обещать падение стоимости DDR5 рано: плотные ячейки ещё нужно научиться выпускать массово. Мой Компьютер