Samsung начинает опытное производство 2-нм чипов на заводе в Техасе Компания переоборудует завод в США стоимостью $17 млрд под выпуск 2-нм чипов с архитектурой GAA, стремясь бросить вызов тайваньской компании TSMC на американском рынке. Начальный объем производства составит около 50 тысяч пластин в месяц с применением транзисторной архитектуры с круговым затвором (GAA). В случае успешного завершения испытаний запуск массового производства намечен на 2027 год. При этом на установку и тестирование оборудования отводится от одного до трех лет, что отражает более осторожный прогноз.