Разработана NAND-память для космоса, выдерживающая радиацию в 30 раз выше обычной — до 1 млн рад Учёные из Технологического института Джорджии (Georgia Tech), США, разработали новый тип памяти NAND на основе сегнетоэлектрических материалов, который способен выдерживать экстремальные уровни радиации в космосе. Результаты исследования опубликованы в журнале Nano Letters. Традиционная NAND-флеш-память, используемая в смартфонах и дата-центрах, хранит данные в виде электрического заряда, который под воздействием космической радиации легко разрушается. В новой разработке данные хранятся за счёт поляризации материала — оксида гафния, что делает память значительно более устойчивой к радиации. Как объяснил Асиф Хан (Asif Khan), доцент Школы электрической и компьютерной инженерии Georgia Tech, поляризация практически не подвержена радиационным эффектам. Лэнс Фернандес (Lance Fernandes), аспирант и первый автор статьи, изготовил чипы в чистых комнатах Georgia Tech, после чего их протестировали на радиационную стойкость в Университете штата Пенсильвания. Результаты показали, что память выдерживает до 1 миллиона рад — это в 30 раз выше, чем у обычной NAND. Для сравнения: спутникам на низкой околоземной орбите требуется стойкость 5–30 тыс. рад, на геостационарной — 100–300 тыс. рад, а для глубокого космоса — до 1 млн рад. Разработка велась при поддержке программы SUPREME (часть инициативы JUMP 2.0, финансируемой SRC и DARPA) и Агентства по снижению угроз обороны Министерства войны США. По словам Хана, новая память не только радиационно-стойкая, но и сохраняет надёжность в самых суровых условиях, что делает её идеальной для космических миссий, где важны большие объёмы хранения данных и работа бортового AI. #news #чипы #космос https://interestingengineering.com/innovation/space-memory-radiation-xrays