Создан полупроводник с рекордной шириной запрещенной зоны Американские ученые сообщили о создании нового полупроводника с самой широкой запрещенной зоной среди всех полупроводников в действующих электронных устройствах — более семи электрон-вольт (эВ). В его основе — оксид алюминия-галлия, легированный кремнием и выращенный на сапфировой подложке. Это достижение может способствовать повышению эффективности электромобилей, энергосетей и центров обработки данных. https://hightech.plus/2026/11/06/sozdan-poluprovodnik-s-rekordnoi-shirinoi-zapreshennoi-zoni