Самый передовой техпроцесс китайской SMIC достиг плотности транзисторов уровня 7-нм TSMC SemiAnalysis опубликовала первый отчет о разборке чипа Huawei Kirin 9030 Pro, созданного на производственном процессе SMIC N+3. Исследование показало, что китайский производитель смог приблизиться к уровню передовых технологий без использования EUV-литографии: плотность транзисторов достигла 113,4 МТр/мм² (выше, чем у TSMC N6), а шаг металлизации M0 (32,5 нм) оказался меньше, чем у Intel 18A (36 нм). Однако за это пришлось заплатить более дорогим и сложным процессом производства. https://hightech.plus/2026/06/17/samii-peredovoi-tehprocess-kitaiskoi-smic-dostig-plotnosti-urovnya-7-nm-tsmc