#фотоцитата 🤩 Секция №4 «Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники» 🤩Прокофьев Сергей Михайлович, АО «Орбита»: Разработанный нами гетероструктурный AlGaAs/GaAs n-р-n-транзистор AT701 превзошёл кремниевые аналоги по быстродействию и диапазону рабочих температур, особенно в части стабильности коэффициента передачи тока. Гетероструктурные биполярные транзисторы на AlGaAs/GaAs перспективны в плане расширения номенклатуры в область быстродействующих и гигагерцовых СВЧ-приборов. Полезны они будут также в импульсных устройствах промэлектроники, вторичных источниках электропитания, в телекоммуникации и автомобильной электронике. 🤩Романов Дмитрий Александрович, ООО «ССТ»: Кремниевые силовые IGBT и FRD используют вертикальный путь тока через кристалл, поэтому параметры обратной стороны определяют потери, устойчивость и динамику силового прибора. Лазерный отжиг активирует слои обратной стороны при ограниченном воздействии на лицевую структуру, но режимы отжига требуют особого подбора. Для бора эффективен зелёный наносекундный режим с контролируемым тонким расплавом, а для фосфора перспективна отдельная инфракрасная активация в твёрдой фазе. 🤩Иванов Владимир Игоревич, ООО «ТТМ»: В битве кремния, карбида кремния и нитрида галлия за сегмент транзисторов для силовой электроники, на мой взгляд, победителя не будет. Каждый материал обеспечивает свой оптимальный набор характеристик, делающий его наиболее выгодным в том или ином случае. Борьба между SiC и GaN для экстремальной электроники тоже не выявит абсолютного лидера: несмотря на достоинства GaN, у SiC есть ряд неоспоримых преимуществ. #Микроэлектроника2026 #Прокофьев #Романов #Иванов