TSMC приблизилась к созданию чипов тоньше 1 нм TSMC совместно с Национальным университетом Ян Мин Цзяо Тун опубликовала исследование в Nature Electronics о транзисторе нового поколения на основе дисульфида молибдена (MoS₂). Разработка может стать основой для производства чипов с техпроцессом около 0,7 нм. Кремний, который десятилетиями оставался основой развития полупроводников, постепенно приближается к своим физическим пределам. Современные техпроцессы уже достигли 2 нм, а TSMC готовится к переходу на 1,4 нм. Дальнейшее масштабирование становится все сложнее, так как при размерах менее 1 нм канал транзистора состоит всего из нескольких атомов кремния. При дальнейшем уменьшении размеров транзисторов изолирующий слой становится настолько тонким, что электроны начинают просачиваться через закрытый затвор. Из-за этого растут токи утечки, увеличивается энергопотребление, а транзистор уже не является надежным изолятором. Одним из альтернативных материалов считается MoS₂ — полупроводник толщиной в один атом. До сих пор его применение ограничивала деградация характеристик при формировании затвора. Инженеры TSMC решили эту проблему, создав сверхтонкий промежуточный слой оксида алюминия толщиной около 0,42 нм. Это позволило сохранить высокую подвижность электронов и масштабировать транзистор без заметной потери производительности. Интерес к MoS₂ переходит в инженерную практику. Летом 2026 года imec, TSMC и ASML продемонстрировали промышленный процесс изготовления 2D-транзисторов на 300-миллиметровых пластинах с использованием EUV-литографии. ASM разрабатывает оборудование для работы с двумерными материалами, а японский NIMS использует машинное обучение для оптимизации выращивания MoS₂. До серийного производства таких чипов еще далеко, однако исследование TSMC показывает, что индустрия уже готовится к следующему этапу развития после кремния. Если двумерные материалы удастся внедрить в массовое производство, производители смогут продолжить уменьшение техпроцессов и повысить производительность без перехода на принципиально новые вычислительные архитектуры.